制冷微光顯微鏡成像 歡迎咨詢 蘇州致晟光電科技供應

偵測不到亮點之情況不會出現(xiàn)亮點之故障：1.亮點位置被擋到或遮蔽的情形（埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置）；2.歐姆接觸；3.金屬互聯(lián)短路；4.表面反型層；5.硅導電通路等。

亮點被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置，這種情況可采用Backside模式，但是只能探測近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及拋光處理。

測試范圍：故障點定位、尋找近紅外波段發(fā)光點測試內(nèi)容：1.P-N接面漏電；P-N接面崩潰2.飽和區(qū)晶體管的熱電子3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)4.Latchup、GateOxideDefect、JunctionLeakage、HotCarriersEffect、ESD等問題 使用微光顯微鏡，可大幅提升故障點確定精度。制冷微光顯微鏡成像

致晟光電的EMMI微光顯微鏡已廣泛應用于集成電路制造、封測、芯片設計驗證等環(huán)節(jié)。在失效分析中，它可以快速鎖定ESD損傷點、漏電通道、局部短路以及工藝缺陷，從而幫助客戶在短時間內(nèi)完成問題定位并制定改進方案。在先進封裝領域，如3D-IC、Fan-out封裝，EMMI的非破壞檢測能力尤為重要，可在不影響器件結構的情況下進行檢測。致晟光電憑借靈活的系統(tǒng)定制能力，可根據(jù)不同企業(yè)需求調(diào)整探測波段、成像速度與臺面尺寸，為國內(nèi)外客戶提供定制化解決方案，助力提高產(chǎn)品可靠性與市場競爭力?？蒲杏梦⒐怙@微鏡24小時服務光子信號揭示電路潛在問題。

微光顯微鏡下可以產(chǎn)生亮點的缺陷，如：1.漏電結(JunctionLeakage);2.接觸毛刺(Contactspiking);3.熱電子效應(Hotelectrons);4.閂鎖效應(Latch-Up);5.氧化層漏電(Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent));6.多晶硅晶須(Poly-siliconfilaments);7.襯底損傷(Substratedamage);8.物理損傷(Mechanicaldamage)等。當然，部分情況下也會出現(xiàn)樣品本身的亮點，如：1.Saturated/Activebipolartransistors;2.SaturatedMOS/DynamicCMOS;3.Forwardbiaseddiodes/Reverse；4.biaseddiodes(breakdown)等出現(xiàn)亮點時應注意區(qū)分是否為這些情況下產(chǎn)生的亮點另外也會出現(xiàn)偵測不到亮點的情況，如：1.歐姆接觸；2.金屬互聯(lián)短路；3.表面反型層；4.硅導電通路等。若一些亮點被遮蔽的情況，即為BuriedJunctions及Leakagesitesundermetal，這種情況可以嘗試采用backside模式，但是只能探測近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及拋光處理。

在致晟光電EMMI微光顯微鏡的成像中，背景被完全壓暗，缺陷位置呈現(xiàn)高亮發(fā)光斑點，形成極高的視覺對比度。公司研發(fā)團隊在圖像采集算法中引入了多幀累積與動態(tài)背景抑制技術，使得信號在極低亮度下仍能清晰顯現(xiàn)。該設備能夠捕捉納秒至毫秒級的瞬態(tài)光信號，適用于分析ESD擊穿、閂鎖效應、擊穿電流路徑等問題。與傳統(tǒng)顯微技術相比，致晟光電的系統(tǒng)不僅分辨率更高，還能結合鎖相模式進行時間相關分析，為失效機理判斷提供更多維度數(shù)據(jù)。這種成像優(yōu)勢，使EMMI成為公司在半導體失效分析業(yè)務中相當有代表性的**產(chǎn)品之一。相較動輒上千萬的進口設備，我們方案更親民。

短路是芯片失效中常見且重要的誘發(fā)因素。當芯片內(nèi)部電路發(fā)生短路時，受影響區(qū)域會形成異常電流通路，導致局部溫度迅速升高，并伴隨特定波長的光發(fā)射現(xiàn)象。

致晟光電微光顯微鏡（EMMI）憑借其高靈敏度，能夠捕捉到這些由短路引發(fā)的微弱光信號，并通過對光強分布、空間位置等特征進行綜合分析，實現(xiàn)對短路故障點的精確定位。以一款高性能微處理器芯片為例，其在測試過程中出現(xiàn)不明原因的功耗異常增加，工程師初步懷疑芯片內(nèi)部存在短路隱患。

光發(fā)射顯微的非破壞性特點，確保檢測過程不損傷器件，滿足研發(fā)與量產(chǎn)階段的質(zhì)量管控需求。制冷微光顯微鏡成像

微光顯微鏡可結合紅外探測，實現(xiàn)跨波段復合檢測。制冷微光顯微鏡成像

與 Thermal EMMI 熱紅外顯微鏡相比，EMMI 微光顯微鏡在分析由電性缺陷引發(fā)的微弱光發(fā)射方面更具優(yōu)勢，能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的缺陷定位；而熱紅外顯微鏡則更擅長捕捉因功率耗散導致的局部溫升異常。在與掃描電子顯微鏡（SEM）的對比中，EMMI 無需真空環(huán)境，且屬于非破壞性檢測，但 SEM 在微觀形貌觀察的分辨率上更勝一籌。在實際失效分析中，這些技術往往互為補充——可先利用 EMMI 快速鎖定缺陷的大致區(qū)域，再借助 SEM 或 FIB 對目標位置進行精細剖析與結構驗證，從而形成完整的分析鏈路。
制冷微光顯微鏡成像